需求信息
本發(fā)明提供了一種碳納米管存儲結(jié)構(gòu)的制造方法及半導(dǎo)體器件的制造方法，首先在基底上形成第一介質(zhì)層，再形成暴露出第一電極的第一溝槽，再在第一溝槽中形成碳納米管和第二電極，由于沒有使用多層掩膜層及多步刻蝕工藝形成碳納米管和第二電極，避免了碳納米管的剝離和起泡的問題，提高了器件的穩(wěn)定性和良率；并且，本發(fā)明提供的碳納米管存儲結(jié)構(gòu)的制造方法及半導(dǎo)體器件的制造方法步驟少，工藝簡單、易于掌控，提高了制造器件的效率，同時也降低了制造成本。
專利信息
| 愿意合作方式 |
創(chuàng)業(yè)投資 |
| 有效截止時間 |
2023-05-11 |
| 聯(lián)系人姓名 |
認(rèn)證用戶可見 |
聯(lián)系人QQ |
認(rèn)證用戶可見 |
| 聯(lián)系人電話 |
認(rèn)證用戶可見 |
聯(lián)系人郵箱 |
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| 聯(lián)系人地址 |
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聯(lián)系人單位 |
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| 區(qū)域 |
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附件信息
